随着无线通信技术的日益进步,其在军事和民用两方面得到了广泛的应用。此外,诸多应用都对无线通信系统的工作带宽提出了很高的要求,使得宽带技术成为当前研究的热点。功放作为无线通信系统发射机中非常重要的子电路,其决定了整个发射机的输出功率和效率,对无线发射机的性能有着巨大的影响。GaAs pHEMT由于其具有较高的电子迁移速率,较高的击穿电压等特点,被广泛用于射频功放的设计中。本文基于稳懋PP25-21 0.25um GaAs pHEMT工艺,对超宽带功放进行了研究,设计了两款带宽分别为2-18GHz和0.03-3GHz的超宽带功放。基于0.25um GaAs pHEMT工艺完成了2-18 GHz分布式功放的设计。本文通过逐级缩小晶体管尺寸和漏极线特征阻抗的方式来为各级晶体管提供最佳负载阻抗.,引入了漏极并联电容来平衡输入和输出传输线的相速度;在栅极引入了RC并联电路,可以提高输入传输线的截止频率和电路的稳定性;为了满足电流密度要求,自行设计了功率放大器的漏极偏置电感。仿真结果显示小信号增益为10.7±1.2 dB,带内饱和输出功率为29.3土0.5 dBm,对应的功率附加效率在33%-47%之间。基于0.25um GaAs pHEMT工艺完成了0.03-3GHz超宽带功放的设计。为了实现大于20dB的增益,本次设计采用了两级结构;详细分析了输出匹配电路对功放性能的影响,通过在输出级引入堆叠结构,可以避免输出匹配网络,减小损耗和面积;为了实现良好的输入匹配和级间匹配,本文设计了一种结构简单的宽带匹配电路,通过在匹配电路中引入有耗元件,在完成匹配功能的同时还能够调节带内增益。仿真结果显示,在0.03-3.2GHz的频带内,小信号增益为28.4±0.9 dB,带内饱和输出功率为32.5±0.6 dBm,对应的功率附加效率在43%-52%之间。