【摘 要】
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氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料.GaN基发光管在节约能源方面有着巨大的应用前景.而使用GaN
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氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料.GaN基发光管在节约能源方面有着巨大的应用前景.而使用GaN基半导体光子探测器代替真空管进行紫外探测,也有其重大的应用背景.该文对GaN基紫外探测器的一些基础问题进行了探索.首先对金(Au)在GaN中的扩散行为进行了实验和理论的探讨.在该征GaN外延层上制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基探测器,并研究了真空热退火对器件的伏安特性的影响.使用该征GaN外延材料制备了24元光导线列探测器.器件的响应率不均匀性为18﹪,响应率远大于1A/W,但存在持续光电导现象,响应速度比较慢,约93ms.使用p-GaN/i-Al<,0.1>Ga<,0.9>N/n-GaN异质结构外延材料制备了台面结构的64元线列探测器芯片,并与专用硅CMOS读出电路进行了互联,获得了双列直插扁平封装的64元线列焦平面器件.探测器芯片的单元最大响应率约为8.6×10<-4>A/W.
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