近些年来，随着自旋电子学和纳米加工技术的发展，在超小的纳米或分子设备中操纵电子电荷及其自旋已成为一个很活跃的研究领域，其目的是为了达到将单个分子作为元素器件的最终目标。在纳米结构体系中，量子点耦合多端子的混杂系统中一端子为超导电极已成为研究热点。一方面，此类混杂系统不仅扩展了自旋器件在自旋极化方面的输运而且还对理解超导机制提供了重要的信息;另一方面此类混杂系统为产生、调控、检测自旋提供了新颖的方法。　　本文我们利用Master方程方法研究了量子点耦合了超导电极的三端子系统的自旋相关的输运性质。第一章主要介绍了一些基本概念和研究背景。第二章介绍了利用Master方程基本的推导方法。第三章以耦合到超导电极、铁磁金属电极及正常金属电极的三端子量子点混杂系统为研究对象，系统研究了自旋极化电子的Andreev反射过程对热电流的影响。研究发现，Andreev反射过程及正常的隧穿过程两种机制的竞争不仅导致热电荷流大小和方向的改变，而且导致热自旋流大小和方向的改变。实验上可通过调控门电压及超导体与量子点耦合强度来实现。还计算了此混杂系统的塞贝克系数，探讨了塞贝克系数随温度和超导电极的变化关系。第四章本章首先以一个量子点耦合两个铁磁电极和一个超导的混杂系统为研究对象，探讨了在偏压条件下通过可调控的门电压，来研究交叉Andreev反射，发现通过门电压可实现对超导电极中的电流进行调控，同时还发生超导电极的隧穿磁电阻效应(TMR)受到失谐的δ的调控。其次再把两个铁磁电极换成一个正常金属电极，一个铁磁电极，混杂系统变为一个量子点耦合一个正常金属电极、一个铁磁电极和一个超导电极，通过对右边正常金属电极电荷流的研究，我们发现在Andreev电流和自旋积累的相互作用下，正常金属电极可以产生纯的自旋流。还发现正常金属电极端产生的电荷流也受到失谐δ的调控。最后一章我们作了一个简单的总结和展望。