二维纳米材料因其厚度尺寸和二维平面结构的特点往往具有不同于相应块材的电子结构,不但能够影响其本征性能,还能产生一些新性质,为探究如何提高光催化性能的研究方向提供了新思路。本论文旨在探索二维半导体纳米材料的结构特征与光催化性质之间的构效关系,选取具有独特层状结构的卤氧化铋(BiOX (X=Br, Cl))为研究对象,通过简易的溶剂热法实现了原子级厚度的BiOX超薄纳米片的可控合成,并系统地探究了二维半导体纳米材料由其原子级厚度和二维结构特征所引起的表面结构和能带结构的变化对其光催化性质的影响,同时还研究了石墨烯基超薄异质复合半导体纳米材料的光催化性能。本论文的主要内容归纳如下：1.通过调控半导体晶体所暴露的晶面,能够实现光催化剂的性能提高。我们采用简易的溶剂热法可控地制备了原子级厚度的超薄BiOBr纳米片,高分辨透射电镜(HRTEM)和选区电子衍射(SAED)分析表明这些纳米片的上下表面暴露的都是BiOBr的(001)活性晶面,而且活性晶面的暴露比例接近100%。紫外-可见吸收光谱(UV-Vis spectra)显示, BiOBr超薄纳米片的减小还引起了能带结构的变化,导带和价带边位置的上移都有利于光生电子和空穴的分离。作为对比,我们还可控地合成了横向尺寸相似、厚度较大的BiOBr纳米盘。光催化降解罗丹明-B(RhB)的实验结果表明BiOBr超薄纳米片呈现出比纳米盘更优异的可见光光催化活性,这主要归功于超薄纳米片暴露的高活性晶面及其优化的能带结构两方面的因素。2.近年来,半导体的晶面工程越来越多地引起人们的研究兴趣,期待能够获得带有高活性晶面的半导体光催化剂。然而,半导体所暴露的活性晶面在改善其光催化性能方面的机理却还很模糊。基于上一个工作,我们通过简单的溶剂热法成功获得具有高效太阳能光催化活性的BiOCl超薄纳米片,几乎能够暴露所有到(001)晶面,并且对暴露晶面中的缺陷类型对其太阳能光催化性能的影响提出了新的更深层的见解。实验所得的BiOCl纳米片的厚度为2.7m,达到了原子尺寸,通过采用正电子湮没技术的表征发现BiOCl超薄纳米片的主要缺陷从单铋空位缺陷V-Bi变为三空位缔合体缺陷VBiVOVBi。正是由于这种三空位缺陷缔合体的形成,对BiOCl超薄纳米片在可见光区的间接染料光敏化作用和在紫外光区的直接半导体光催化过程产生了综合影响,导致BiOCl超薄纳米片在极低的光催化负载量下显示出显著提高的太阳能光催化活性。在此工作中,对超薄纳米片中独特的缺陷(与块材不同)的研究,无疑开拓了通过设计准二维材料光催化剂得到高效太阳能光催化活性的新方向。3.基于石墨烯高的比表面和良好的电荷传输性等特点,结合BiOCl超薄纳米片的特殊表面结构,我们通过简单的溶液混合的方法制备了BiOCl超薄纳米片/石墨烯复合纳米材料。与单一的BiOCl超薄纳米片和BiOCl纳米盘/石墨烯相比,该复合材料表现出了更高的光催化性能。性能的提高归因于以下几个方面：(1)暴露高比例活性晶面的BiOCl超薄纳米片自身的VBiVOVBi三空位缔合体缺陷不但有利于对染料的吸附,还能增强和石墨烯之间的相互作用力促进电子在两相界面的转移。(2)超薄纳米片更负的导带带边电势也为电子的转移提供了动力。(3)石墨烯良好的电子传输性能有助于BiOCl超薄纳米片中光生电子和空穴的有效分离。(4)石墨烯的加入引起的复合物在可见光区的光吸收增强,促进间接染料光敏化催化进程。总之,二维超薄纳米材料与二维石墨烯的复合为高性能光催化剂的制备提供了有效合成策略,拓展了二维异质复合结构的研究范围。