压电马达是一种重要的压电叠层器件，在微电子领域有着广泛的应用。为了提高压电马达的响应速度和位移量，要求压电陶瓷是具有较低机械品质因数的软性压电陶瓷。而软性压电陶瓷的低温烧结一直是PZT陶瓷材料的难点。所以本文针对这一问题，选取Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃-Pb（Zr,Ti）O₃（PZN-PZT）体系压电陶瓷作为研究对象，从陶瓷制备工艺，材料基本配方和氧化物掺杂改性这几方面进行研究，从而达到提高陶瓷性能、降低陶瓷烧结温度的目的。本文首先对材料的制备工艺进行研究，通过调节材料的预烧温度，陶瓷的致密性和压电性能提高明显。通过改善材料的球磨工艺，球磨粉料的粒径从0.91μm下降到了0.72μm，粉料粒径低的样品在烧结时具有更高的活性，因而球磨工艺的改善提高了陶瓷的铁电性与压电性。通过对不同生产厂家原料的使用，发现陶瓷的原材料对陶瓷性能也有较大的影响。最终，陶瓷制备工艺的改进提高了陶瓷的压电性能，材料的压电系数d₃₃从340pC/N提升到527pC/N，平面机电耦合系数k₃₁从0.31提升到了0.37。在确定陶瓷制备工艺的基础上，本文讨论了PZN-PZT的基本配方对材料性能的影响。通过PZN-PZT陶瓷体系中铌锌酸铅的含量的研究，明确了在0.3Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃-0.7Pb（Zr,Ti）O₃处陶瓷的性能达到最优。之后改变PZN-PZT陶瓷的锆钛比，使材料位于准同型相界处。最后对陶瓷中Pb元素的含量进行研究，发现Pb元素含量在刚好满足材料的化学计量比时性能最佳。明确了PZN-PZT陶瓷的基本配方后，本文研究了Li₂CO₃掺杂和Sm₂O₃掺杂对材料性能的影响。Li₂CO₃掺杂可以使材料的烧结温度从1125℃下降到950℃，并且陶瓷的压电性能没有明显的下降。但是，当陶瓷的烧结温度低于950℃时，材料的压电性能会大幅下降。Sm₂O₃掺杂可以提高900℃烧结的陶瓷样品的压电性能。最终，烧结温度为900℃时陶瓷的最佳性能参数为：d₃₃=483pC/N，k₃₁=0.376，Qm=73.09，εr=2524，tanδ=0.0178。