采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波(FP-LAPW)方法，模拟了母体SrFeAsF和钴掺杂超导体SrFe0.875Co0.125AsF的结构参数。计算了掺杂前后的电子能带结构和磁性。计算结果表明：(1)母体SrFeAsF中铁平面晶格由四方到正交畸变，钴掺杂后结构畸变受到抑制。(2)钴掺杂材料后铁原子自旋排列成棋盘构型(AFl)的能量与条形排列自旋密度波(AF2)能量相差很小，系统处AF2态的邻界状态，自旋涨落增大，因此条形排列自旋密度波被有效抑制。(3)钴掺杂会引起晶胞体积减小，增大电子能带杂化，使得铁（钴）原子的局域磁矩减小，交换耦合常数J1、J2均下降，磁性减弱。(4)钴掺杂后费米能级处的赝能隙消失，能带宽度增大，电子的巡游性增强。电子掺杂使费米面上升到原赝能隙之上态密度vHS峰上，有利于钻掺杂后材料的超导电性。这些结果说明钴掺杂超导体SrFe0.875Co0.125AsF表现出由反铁磁涨落引起的超导电性。