由于半导体激光器本身的结构特点,快轴方向发散角较大,慢轴方向发散角较小,快慢轴发光尺寸的严重不对称性,使得其激光束发散角大、像散严重,是其更广泛应用的瓶颈。采用光纤耦合输出不仅简化了应用条件,同时也改善了输出光束的非对称性,还可以简便实现多个激光光源之间的输出光耦合或组合,得到更高的功率输出,且已经开始应用到了各个领域,包括激光印刷、激光医疗、激光显示等领域。本文将通过对半导体激光器基本特性、光纤的性质及半导体激光器光纤耦合技术的研究,获得高耦合效率的405nm光纤耦合半导体激光器,并设计合理的耦合系统进行封装制作405nm光纤耦合半导体激光器。本文分为五个部分。第一章：介绍半导体激光器发展历程、GaN基半导体激光器发展历程、光纤耦合技术、405nm光纤耦合半导体激光器应用领域及目前发展水平。第二章：介绍半导体激光器的结构,分析半导体激光器的光束特性、影响半导体激光器光束质量的因素,并简单介绍405nm半导体激光器的应用领域及生长和制作GaN基半导体激光器存在的问题。第三章：介绍光纤的基本特性,包括光纤的基本结构、分类及光纤的损耗来源。第四章：介绍半导体激光器与光纤耦合的基本方法,分析光纤与耦合系统存在对接耦合误差时对耦合效率的影响以及薄膜光学的基本知识。第五章：通过实验研究如何获得较高的耦合效率,并根据实验结论设计耦合系统进行封装制作405nm光纤耦合半导体激光器。