石墨烯由于特有的电学、力学以及化学性质等特点有着非常广泛的应用,结构调控对于石墨烯的实际应用至关重要。我们通过对石墨烯进行结构调控以保证石墨烯较好的电学性能,研究石墨烯在电学领域的应用。本论文主要工作如下:1. 利用（NH₄）₂S₂O₈溶液对生长单层石墨烯的铜箔进行刻蚀处理,进而对石墨烯进行结构调控,制备了高灵敏度(3.5 k Pa^-1)、快速响应时间（50/30 ms）、优异的循环稳定性（1000次循环后电阻变化率小于2.5%）的石墨烯和石墨烯卷轴（G/GS）复合薄膜压阻传感器。较低应力区（0-0.5 k Pa）的灵敏度(3.5 k Pa^-1)高于绝大多数文献所报道的数值。另外,我们还测试了基于周期性应力和弯曲力响应的G/GS压阻传感器在人体运动检测中的应用,以展示其在智能可穿戴设备中的潜在应用。2. 利用强酸氧化切割法对氧化石墨烯（GO）进行结构调控,制备出了尺寸在1 0 nm以内且几乎是单层的GO量子点（GOQDs）。GOQDs不仅拥有石墨烯固有的高导电性以及优异的机械性能,而且纳米级的尺寸具有更高的比表面积。静电纺丝可以制备直径在几十到几百纳米的纤维,产品具有较高的孔隙率,直径分布均匀以及成分多样化。我们打破普通GO片层的结构限制,结合红外和XPS等表征手段,证明了GOQDs中官能团数目-OH>-COOH,因此设想利用静电纺丝的方法将GOQDs与小分子或长链分子交联起来,以得到高弹性、高孔隙率、高比表面积以及大量导电通道GOQDs复合纤维薄膜。