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相图是材料科学研究的基础，广泛用于冶金、陶瓷、矿物、化工、晶体生长的等领域，在材料制备、热处理工艺、新材料的开发等方面，相图都起到很重要的作用。本文探索研究了Gd-Sn-Te体系稀磁半导体材料的合成工艺，以及其相结构关系；另外还研究了Gd-Ti-Fe体系在500℃截面的相平衡关系。
1．综合利用高频炉熔化和粉末冶金的方法成功制备了适合于相结构研究的Gd-Sn-Te体系合金。利用X射线衍射分析分析了其相结构，并研究了室温情况下富Te端（Te≥50at．％）的相结构关系。在该区域有4个三相区（Te+SnTe+GdTe3， GdTe3+SnTe+GdTe2， Gd2T3+SnTe+GdTe2和Gd2Te3+SnTe+GdTe），9个两相区，6个单相区，测定了Gd在SnTe化合物中的固溶度达到11％。并且Sn1-xGdxTe（x=0-0.10）的晶格参数随Gd的参入量增大而减小。
2．综合利用X射线衍射分析、差热分析等方法测定了Gd-Ti-Fe体系在500℃的相结构关系。该体系中的6个二元化合物（GdFe2，GdFe3，Ge6Fe23，Gd2Fe17，TiFe和TiFe2）和3个三元化合物（GdFeqTi12，GdFe11Ti和Gd（Fe1-xTix）9）被证实存在，具有CaCu5型结构P21/c空间群的高温相Gd3（Fex-xTix）29在该温度下不存在。该等温截面由12个单相区、24个两相区、13个三相区组成。实验中发现Ti在化合物GdFe11Ti和Gd2Fe17中都存在一定程度的固溶，其值分别为2％和2.3％。三元化合物Gd（Fe1-xTix）9中x的变化范围为0.0256到0.0444。