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由于在开关速度、转换效率和开关损耗等方面表现卓越,GaN基电力电子器件的商业化应用越来越广泛。但是,目前的商用GaN基电力电子器件的额定电压均低于650V,因此,国际上提出并报道了很多技术手段,如基于GaN自支撑衬底和多晶AlN衬底的外延技术,用于提高器件击穿电压,扩展其应用范围。但是,如何在提高击穿电压的同时,保持较低的关态漏电以及导通电阻仍然是目前面临的最大困难之一。高压下热效应带来的可靠性问题以及材料中的陷阱对器件电学特性的影响均需要深入研究。本文基于前人的研究成果,首先采用AlGaN/GaN