体硅CMOS技术始终是硅微电子技术的主流,随着CMOS技术进入深亚微米乃至纳米时代,如何利用微米工艺实现纳米器件,成为Si工艺技术的研究热点。本文从以下四方面对此进行了研究。在CMOS常用薄膜材料的生长刻蚀方面,研究了SiO2,Si3N4,SiON,Poly-Si,Al等的刻蚀技术,并重点研究了常用材料干法刻蚀和湿法刻蚀的工艺条件;在微米工艺实现纳米级CMOS器件的结构设计方面,深入研究了利用侧墙结构制备超细栅线条、RTA固相扩散形成SDE等关键工艺,创新地提出了微米工艺下纳米栅电极的引出方法,并对其作了详细论述;在工艺设计方面,基于标准CMOS工艺,给出了微米工艺实现纳米级CMOS器件的具体工艺步骤和工艺条件,给出了相应的工艺参数和版图设计;在实验方面,基于中国电子科技集团公司第24所的2μm CMOS工艺,进行了微米工艺实现纳米CMOS器件的工艺实验,利用侧墙图形转移技术制备了超细栅线条,对实验结果进行了分析。