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MgB2是一种具有39K临界转变温度的新型超导材料。与高温超导材料相比,它不存在弱连接,易于制备高传输电流密度的线带材;与低温超导材料相比,可以利用制冷技术达到它的临界转变温度,而不必使用昂贵的液氦,这将大大降低材料的使用成本。但由于MgB2较差的磁通钉扎,相对较低的不可逆磁场(Hirr)和上临界磁场(Hc2),限制了其更广泛的应用,而掺杂改性是一种极为重要的研究手段和实用化的途径。本文以Mg粉、B粉和纳米SiC粉为原料,通过纳米SiC掺杂引入钉扎中心,分别用传统无压烧结和放电等离子烧结(SPS)制备了具有高临界电流密度的纳米SiC掺杂MgB2块材。通过XRD和SEM分别研究了制备过程中的工艺参数(烧结方式,烧结温度,保温时间)对块材成份及微结构的影响,重点用磁测量设备,讨论了原料配比,SiC掺杂量及退火方式对块材超导电性的影响,最后比较了两种烧结方法制得的样品密度、微观结构以及超导电性能。研究结果表明,将Mg粉、B粉按原子比Mg:B=1.1:2和5wt.%的纳米SiC粉混合研磨5小时后压块,无论采用传统无压烧结方法,在流动氩气中,720℃保温1个小时,还是通过SPS技术,在氩气保护气氛中,800℃保温15分钟或在真空条件下750℃保温15分钟,均可合成杂质含量较少,成份相对稳定的掺杂MgB2块材。对块材的显微结构进行观察显示,两种制备方法中,随着烧结时间的延长晶粒均有长大趋势,但SPS方法合成的样品均匀致密,块材实际密度达到理论密度的90%。对SPS及传统烧结合成的掺杂MgBB2块材进行超导电性能测试,结果显示,两种方法得到的掺杂块材与纯净MgB2块材相比其超导电性均大大改进,特别是在较高外加磁场下改进更大。在10K, 0T时,SPS技术合成的掺杂块材Jc值达到4.5×10 Acm ,是掺杂前样品的2倍,增大外加磁场到4T时,前者是后者的6倍,并且在我们的测试范围内,SPS技术制得的掺杂样品的J5 -2c值均不同程度的高于传统烧结得到的样品的Jc值。对两种方法制备的块材的微结构及超导性能测试进行比较,结果表明,块材密度与超导电性之间存在着密切的联系,即随着密度的提高,块材的Jc值也不同程度的提高,与传统烧结得到的掺杂块材相比,SPS制得的块材密度提高了49%,相应的在20K,4T条件下,Jc值也提高了44%。