【摘 要】
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构建基于二维石墨炔材料的纳米电子器件时,二维半导体材料需要与金属电极接触,形成半导体-金属结。金属与二维半导体材料的接触情况对器件的功能实现和性能影响很大。本论文从二维石墨炔GD与金属Au、Al、Ti、Ag的电接触行为出发,模拟计算GD/Al(111)、GD/Au(111)、GD/Ti(0001)、GD/Ag(111)界面接触区的能带结构、状态密度、差分电荷密度、Mulliken电荷分布等,分析石
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构建基于二维石墨炔材料的纳米电子器件时,二维半导体材料需要与金属电极接触,形成半导体-金属结。金属与二维半导体材料的接触情况对器件的功能实现和性能影响很大。本论文从二维石墨炔GD与金属Au、Al、Ti、Ag的电接触行为出发,模拟计算GD/Al(111)、GD/Au(111)、GD/Ti(0001)、GD/Ag(111)界面接触区的能带结构、状态密度、差分电荷密度、Mulliken电荷分布等,分析石墨炔与金属电极间的电荷转移、能带排列及接触电阻,筛选出具有欧姆接触的石墨炔/金属结构,从电子结构角度揭示二维石墨炔与金属接触的内在特性,为实验制备二维石墨炔基纳米电子器件提供理论指导。论文的主要内容和结论如下:(1)构建并优化了二维石墨炔GD、Al(111)、Au(111)、Ti(0001)、Ag(111)表面模型,并对GD进行了电子结构分析。研究结果表明,二维石墨炔为直接禁带半导体,其价带顶和导带底均位于布里渊区的M点;6层原子层厚度的板层模型可以正确描述Al(111)、Au(111)、Ti(0001)、Ag(111)表面,真空层厚度为20?。(2)分别构建了GD/Al(111)、GD/Au(111)、GD/Ti(0001)、GD/Ag(111)界面模型,模拟计算了GD/Al(111)、GD/Au(111)、GD/Ti(0001)、GD/Ag(111)界面接触区的电子结构,包括能带结构、状态密度、差分电荷密度、Mulliken电荷分布。研究结果表明,GD与Al(111)、Au(111)、Ag(111)表面为物理接触,吸附能Eb较小,吸附距离dC-M较大;GD和Ti(0001)表面为化学接触,吸附能Eb较大,吸附距离dC-M较小。GD与Al(111)、Au(111)、Ag(111)、Ti(0001)表面接触后接触势垒都小于0,是欧姆接触,GD/Ti(0001)的接触电阻最小,适合作为连接石墨炔的电极材料。
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