随着CMOS器件尺寸已经接近物理极限,短沟道效应严重阻碍了半导体器件的进一步发展。虽然FinFET器件已经证实能够有效地抑制短沟道效应,但是FinFET器件寄生效应明显,电流驱动能力降低,为了解决这个问题,新型FinFET器件的研究逐渐成为了国内外研究的热点。本文结合经典三栅FinFET器件的结构特点和物理特性,对新型FinFET器件——多鳍FinFET器件进行射频模拟特性研究,具体内容如下:(1)深入研究了经典FinFET器件的结构特点和基本电学特性,以及其结构参数与短沟道效应的相关性。研究证实,FinFET器件在抑制短沟道效应方面表现优异,其栅极阻抗较大将导致电流驱动能力下降。新型FinFET器件——多鳍FinFET可降低栅极电阻,有效解决传统FinFET器件增益较低和开关速度较慢的问题。(2)由于传统寄生电容和电阻计算方法不适用于多鳍FinFET器件,本文基于对多鳍FinFET器件的结构分析,提出了寄生电容和寄生电阻的估算模型。由于多鳍FinFET器件的鳍数量Nfin可变,通过递推原则总结出寄生电阻估算模型,并将寄生电容分解为重叠电容和边缘电容两部分分别计算,从而得到寄生电容估算模型。仿真结果表明,在随着鳍数量Nfin和鳍间距Sfin的增加,边缘寄生电容Cfr呈现近乎线性增加的趋势,为了减小寄生电容,应使鳍的高宽比大于2,尽可能减小鳍间距。(3)分析了多鳍FinFET器件和三栅FinFET器件的漏端电流和fr/fMAX,仿真验证在饱和状态时,多鳍FinFET器件的开态电流要比三栅FinFET器件高出20%左右,在栅长低于50nm时,多鳍FinFET器件的截止频率比三栅FinFET约高出30-60%,而最大震荡频率平均高出45%。最后,详细分析了针对多鳍FinFET器件的功耗控制技术,讨论其在小型化、低功耗设备中的应用前景。