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本文采用纳米线制备、组装、测试及分析方法,利用单根ZnO纳米线制备了ZnO纳米线场效应晶体管(FET)。研究了器件各种参数对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响,同时,论文还介绍了纳米ZnO和半导体微纳电子器件的最新研究进展及国内外热点研究问题。本论文共四章,主要分为：(1)介绍了纳米科技的基础知识,纳米材料的基本性能及相应的应用领域；对国内外纳米材料及微纳半导体器件的研究进展进行了综述,对典型的微纳半导体器件进行了分类,并对相应的工作原理进行了阐述。(2)介绍了ZnO半导体纳米线的各种制备方法,并运用化学气相沉积法(CVD)在各种条件下制备了实验所需的ZnO纳米线,并对制备的ZnO纳米线进行了分析表征。(3)利用制备的单根ZnO纳米线,制作了三种不同金属电极的ZnO纳米线FET。主要方法如下：首先,在Si片上生长一层SiO2绝缘层,本文中采用的是热氧化法；然后在Si片镀一层薄金属膜,我们在实验过程中共选取了三种金属(Au、Zn、Al)分别蒸镀在Si片表面,再利用离子刻蚀技术在每种金属膜上分别刻蚀一条隔离沟道,沟道的两边分别作为FET的缘极和漏极,背面的Si层作为栅极；借静电探针和原子力显微镜的帮助,选一根ZnO纳米线横放在两个金属电极上,制备出简单的ZnO纳米线FET。(4)对不同ZnO纳米线FET器件进行Ⅰ-Ⅴ测试和分析；通过多次实验,分析ZnO纳米线FET的输运性质以及其影响因素。Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示了理想二极管的整流特性。研究发现这些自发形成的肖特基二极管是由于单根ZnO纳米线与两个金属电极的非对称接触形成的,这些二极管的输运性质很大程度上依赖于纳米线的尺寸。对于直径小(-250nm)的ZnO纳米线,易形成肖特基二极管。最后,比较了不同直径、不同长度ZnO、不同够到宽度以及不同金属电极的ZnO场效应晶体管的输运性质,其中以Au为电极的纳米ZnO场效应晶体管的输运性质最好；这种以单根ZnO为基础的二极管或场效应晶体管可以为各种以ZnO为基础的设备所利用。