【摘 要】
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随着现代通信技术的发展,对相关元器件的需求也越来越大。这些年,微波介质陶瓷发展迅速,是因为由其制作的微波元器件,有不少优点,例如小巧、经济、质量轻、性能稳等,因此可以满足现代通信工具的小型化、集成化等要求。低温共烧陶瓷（LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramic）,是一种多层电路,由未烧结的流延陶瓷材料叠层在一起制成,内置印制互联导体、电路和元件,该结构被烧结成一个
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随着现代通信技术的发展,对相关元器件的需求也越来越大。这些年,微波介质陶瓷发展迅速,是因为由其制作的微波元器件,有不少优点,例如小巧、经济、质量轻、性能稳等,因此可以满足现代通信工具的小型化、集成化等要求。低温共烧陶瓷（LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramic）,是一种多层电路,由未烧结的流延陶瓷材料叠层在一起制成,内置印制互联导体、电路和元件,该结构被烧结成一个集成式陶瓷多层材料。LTCC技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术。锡酸镁锂（Li2Mg3SnO6）陶瓷具有低的介电常数、高的品质因数、是适合于LTCC应用的微波元器件。然而,其存在烧结温度过高、致密性差、易生成第二相、温度不稳定等缺点,阻碍了其在LTCC方面的应用。本文针对Li2Mg3SnO6陶瓷存在的不足,分别加入Bi2O3-LiF-CaF2-TiO2,LiF以及（La0.5Na0.5）TiO3来提高其烧结性能,调控其温度稳定性,获得了以下结果:1.选用 Bi2O3-LiF-CaF2-TiO2（BLCT）为烧结助剂,制备 Li2Mg3SnO6-x wt%BLCT（x=4、8、12、16）陶瓷,研究了x从4增大到 16 时,Li2Mg3SnO6 陶瓷的烧结性能以及微波介电性能的变化。结果表明,随着x的增大,密度不断增加。且由于Bi2O3-LiF-CaF2-TiO2的添加,陶瓷的致密化烧结温度有所降低。最终,x=4时,在1070℃烧结的Li2Mg3SnO6陶瓷,微波介电性能最佳:εr=11.6,Q×f=24000 GHz。2.制备 Li2Mg3SnO6-x wt%LiF（x=1、2、4、6）陶瓷,研究了x从1增大到 6时,对Li2Mg3SnO6陶瓷各项性能的影响。结果表明,当LiF的添加量大于等于4 wt%时,陶瓷的烧结温度降至900℃。x=4时,在900℃烧结的Li2Mg3SnO6陶瓷,微波介电性能为:εr=12.3,Q×f=96280 GHz,τf=-40.7 ppm/℃。此样品与Ag电极兼容,适合于微波介质基片和毫米波通讯应用。3.选 用（La0.5Na0.5）TiO3为温度补偿剂,制备了（1-x）Li2Mg3SnO6-x（La0.5Na0.5）TiO3-4 wt%LiF 陶瓷。所有组分的样品在900℃时均致密化烧结。由于加入了 LiF,陶瓷的致密化烧结温度降低。（1-x）LMS-xLNT-4 wt%LiF陶瓷的介电常数值都在11.4～12.0之间,在935℃烧结的0.8LMS-0.2LNT-4 wt%LiF陶瓷,有最大的Q×f值,为13100 GHz。随着x的增大,陶瓷的τf值由负转正,说明（La0.5Na0.5）TiO3可以有效的调控Li2Mg3SnO6陶瓷的温度稳定性。图29;表5;参100
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