随着微波系统的发展，对固态功率放大器件的性能要求越来越高，现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波功率器件，AIGaN/GaN HEMT具有输出功率密度高、工作频率高、耐高温、抗辐照等优点，是移动通信、雷达等微波系统所需的高频、高效率、高功率微波功率器件的优秀候选者。 本文较为系统地研究了AlGaN/GaN HEMT 的微波功率特性。 由于AlGaN/GaN HEMT器件工作原理同GaAs器件相似，本文参考GaAs器件的模型提取技术得到了栅长为0.4 μ m，栅宽为1mm的AlGaN/GaN HEMT的小信号等效电路模型，使用Load-PuU测试方法得到了器件大信号下的等效输出阻抗。 使用得到的参数设计了AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管，在7.5-9.5GHz的频率范围内输出功率大于5W，功率附加效率典型值为30％，功率增益大于6dB，此性能较GaAs器件优越。测试得到的结果同设计结果有较好的吻合，说明得到的模型参数是可以应用于工程应用的。 虽然理论上AlGaN/GaN HEMT 可以承受较高的结温，但由于耗散功率大，散热仍是一个严重的问题。本文构造了热学模型，利用热平衡方程，并结合Ansys软件，对GaAs功率器件的结温分布情况进行了仿真分析。同试验结果有较好的吻合，证明这种方法可以应用于GaAs器件的热设计。同时分析了用这种方法对AIGaN/GaN HEMT 器件和芯片进行热设计的可行性，提出了热优化设计的思路，对AlGaN/GaN HEMT进一步的热设计奠定了基础。