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本文主要有三个方面的工作:1.碳纳米管与块体硅材料高温反应的研究;2.SiO_2纳米线表面附着Fe颗粒的混杂纳米结构的研究;3.直接氧化法制备Fe_2O_3纳米线及生长机理研究。1.本文研究了碳纳米管(CNT)和硅片在高温下生成SiC纳米线的反应机理,分析了在本试验条件下碳纳米管和SiC纳米线的稳定性。首先以甲烷为原料,采用传统的化学气相沉积(CVD)法成功制备碳纳米管,然后将制备的碳纳米管与Si片在高温下进行反应,结果生成了两种形态不同的SiC纳米线,对试验条件下碳纳米管和SiC纳米线的