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碲是一种直接窄带隙半导体,其禁带宽度为0.34 eV,具有优异的物理和化学性能.由于碲纳米材料具有较大的比表面积和良好的载流子传输通道,它是非常重要的半导体光电材料,在半导体纳米光电器件领域有着广阔的应用前景。本论文以六方相碲纳米线为研究对象,并采用水热法实现了六方相碲纳米线的可控制备。通过传统的光刻微加工工艺,构筑了基于单根碲纳米线的金/碲纳米线/金的两端电学器件,深入研究了碲纳米线在电场和光场下的光电导特性。主要结果如下:1.通过水热法制备出单纯度高、分散性良好、结晶性好的Te纳米线。采用深紫外