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本论文分析了SIT的作用机理和它的类三极管Ⅰ-Ⅴ特性。SIT对材料参数和结构参数非常敏感,表现为沟道势垒的建立对各种参数的依赖性。论文设计了30A/1000V埋栅型SIT的版图,并以复合结构SIT验证了版图设计的合理性。论文第四章详细阐述了关键制造技术,尤其是外延、刻台和挖槽技术,讨论了一步外延的可行性。第五章对器件特性(类三极管特性/类五极管特性)的转变以及栅源击穿电压的提高提出了控制与调节的方法,完成了提高栅源击穿电压与保持Ⅰ-Ⅴ特性统一性的课题。