金属-半导体-金属(MSM)光电二极管在光电子集成(OEIC)中具有很广泛的前景。这一结构的器件有两个重要的特性。第一：制作工艺简单；第二：属平面结构，所以易于与FET和HEMT集成。同时，它还具有响应速度快的特点，可以用于超高速、大容量的光纤通信中。 本文先从MSM-PD光电二极管的发展状况入手，探讨了该器件的结构特点，基本的光学和电学性质。为了能在厦门大学物理系现有的实验条件下制备出用于光纤通信的MSM-PD光电探测器，探索了以下几个方面的工作： 1．根据光通信的要求和本实验室的现有条件，进行了版图的设计。确定MSM-PD的金属叉指栅状电极指宽、指距均为2-3微米。版图共分四版，第一版为台面；第二版为小线条光刻；第三版覆盖一层聚酰亚胺；第四版加厚金属电极。 2．为了实现2-3微米精度的栅状电极的光刻，对该器件电极的“剥离工艺”进行了探讨。在实验过程中采用正性光刻胶、表面疏水处理、干法刻蚀、等离子去胶和磁控溅射等方法。 3．研究了MSM-PD的光谱响应、暗电流、I-V特性等。对器件的光谱响应进行了拟合计算，从而得出了光吸收层厚度、指宽、指距等材料参数，所得参数与实际相吻合。 4．在条件成熟后，将以此为基础，进一步研究InGaAs MSM器件。更重要的是，我们还将着眼于MSM同HEMT的单片集成，并希望应用于长波长光接收机(光纤通讯)。并尝试在金钢石衬底上制作紫外MSM-PD。