由于电磁波在雷达探测系统中的应用以及现如今雷达在军事领域的广泛发展,大型航空飞行器及武器装备系统在应用时存在着随时暴露的威胁。因此,开发满足国防应用结构要求的,具有雷达波吸收、轻量化以及高强度结构的材料成为首要目标,具有重要研究意义。在众多雷达波吸收材料中,碳化硅材料因具有密度低、耐高温和抗腐蚀等优点,成为近年来在吸波领域的研究热点。但是,传统的碳化硅材料存在有效吸收带宽较窄,吸波性能较差以及阻抗不匹配等缺点,限制了其在吸波领域的应用。针对传统SiC材料存在的问题,本文利用冷冻干燥结合碳热还原的方法制备得到较高孔隙率的碳化硅多孔材料。制备的SiC材料充分发挥其多孔结构的优势,具有低密度、宽频带以及吸波性能好的特点。（1）以碳化硅纤维和碳化硅纳米颗粒为原料,采用冷冻干燥法,在不同体积分数SiC浆料、烧结温度和时间的条件下制备出了一系列SiC多孔材料,其密度较低,最低密度达到71 mg/cm~3。经SEM表征分析得到,SiC多孔材料中具有非常复杂连通的多孔结构,其孔径大小在100到200μm。其微观结构没有明显变化。XRD分析表明,SiC多孔样品的晶相结构与制备过程中SiC的体积分数、烧结温度和时间没有关系,但是SiC堆垛层错的密度会发生改变。此外,系统的研究了不同烧结条件下制备的SiC多孔材料的吸波性能。多孔结构可以提供更低的反射损耗值以及更宽的有效吸收带宽。其中3vol%的样品在1500℃保温2 h后得到的SiC多孔材料,在12.5 GHz的频率下,最小反射损失达到了-63.2 dB。此时样品厚度为3.15 mm,有效吸收频带覆盖了9.3-16.2 GHz,有效吸收带宽为6.9 GHz。（2）为了进一步对吸波性能进行分析,在上述合成条件的基础上,配合碳热还原法,在孔隙中生长出SiC纳米线,制备出一系列SiC纤维/SiC纳米线复合多孔材料,它的密度基本没有增加,最小密度也达到了74 mg/cm~3。同时也具有比较良好的吸波性能。7vol%的样品在1500℃保温2 h后得到的SiC多孔材料,在11.9 GHz的频率下,最小反射损失为-25.5 dB。此时厚度为3.48 mm时,有效吸收频带覆盖了8.9-15.4 GHz,有效吸收带宽达到了6.5 GHz。