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互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺具有高集成度、低功耗和低成本等优点,被广泛应用于集成电路设计领域。准确的器件模型是电路仿真设计的基础。随着CMOS工艺的发展,晶体管应用频率已达到毫米波/太赫兹频段,此时对晶体管模型的适用频率提出了更高的要求。因此,太赫兹CMOS器件建模技术成为国内外研究的热点。本文主要研究了太赫兹频段的MOSFET建模以及参数提取技术并提出了一种新型的超宽带去嵌方法,主要研究内容如下:首先,本文基于MOSFET中的典型物理效应建立了MOSFET小信号等效电路模型。同时为了表征晶体管S12和S21相位的非线性,考虑了衬底耦合效应,建立了新型衬底的小信号等效电路模型,并给出了相应的参数提取方法。模型计算结果与实验测试数据吻合良好,从而验证了该方法的有效性。其次,设计了晶体管建模的测试版图,其中包括了开路、短路去嵌结构测试版图以及晶体管测试版图,用高频结构仿真器(High Frequence Structure Simulator,HFSS)对开路测试结构与短路测试结构进行了仿真和验证,同时搭建了测试系统,并在1-220 GHz频段范围内进行了测试。在此基础上,本文基于物理原理与版图结构建立了焊盘、焊盘耦合以及互连线模型,提出了一种220 GHz包含焊盘的晶体管等效电路模型。该方法用基于物理原理的嵌入结构模型将测试结构带来的寄生效应进行了描述,进一步避免了开路短路去嵌法在太赫兹频段出现的过去嵌以及欠去嵌的问题。模型计算结果与实验测试数据吻合良好,从而验证了该模型的有效性。最后,本文还提出了一种基于开路短路结构的新型去嵌方法。该方法通过模型计算和测试结果相结合的方法来实现去嵌,相比直接通过测试结果进行去嵌的方法,它不仅可以减少成本,而且可以实现超宽频带的去嵌。另外,本文将未去嵌数据、开路短路法去嵌数据以及基于本文所提出方法的去嵌数据进行了对比,验证了本文提出的新型去嵌方法的有效性。本文工作是基于90nm CMOS工艺,联合先进设计系统(Advanced Design System,ADS)进行模型的参数提取,仿真与验证。