【摘 要】
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针对TiN薄膜现主流制备技术中,传统磁控溅射沉积粒子离化率低和多弧离子镀存在高温熔滴喷溅等技术不足,依据等离子体物理学中气体放电基础理论,通过构建双脉冲电场环境将气体放电引入辉光放电区和弧光放电区之间的强辉弱弧区间。利用该区间内具有的较大电场强度和电流密度的特性,增强正离子对阴极靶面的轰击强度和阴极靶材内部的焦耳热效应,诱发靶面沉积粒子以碰撞增强热发射方式脱靶,并获得较磁控溅射沉积粒子更高的离化率
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针对TiN薄膜现主流制备技术中,传统磁控溅射沉积粒子离化率低和多弧离子镀存在高温熔滴喷溅等技术不足,依据等离子体物理学中气体放电基础理论,通过构建双脉冲电场环境将气体放电引入辉光放电区和弧光放电区之间的强辉弱弧区间。利用该区间内具有的较大电场强度和电流密度的特性,增强正离子对阴极靶面的轰击强度和阴极靶材内部的焦耳热效应,诱发靶面沉积粒子以碰撞增强热发射方式脱靶,并获得较磁控溅射沉积粒子更高的离化率和更高的密度。同时,双脉冲电场模式所具有的阶梯式脉冲特性,不仅可利用前期弱离化阶段的原子电离降低后期强离
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CeO_2属于立方晶系,晶体结构为萤石型,其八面体间隙的位置是空的。氧化铈中的铈离子存在+3与+4两种价态,并且在不同的氧环境下(富氧与贫氧),能够实现这两种价态之间的转变。又由于氧化铈自身能够实现这两种价态的转变,使得氧化铈能够存储和释放氧,并且其结构仍能保持萤石型。氧化铈以其自身独特的结构性质,在永磁材料、光学玻璃、快离子导体、汽车用催化剂等方面得到广泛的应用。尽管人们已经对氧化铈展开了许多性
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薄膜材料的光学参数决定了薄膜的透过率,准确计算薄膜的光学参数对优化膜系设计,提高薄膜透过率具有重要意义。本文以实验测量得到的透过谱为基础,采用最优化方法计算了单层二氧化钛薄膜和TiO_2/Ag/TiO_2多层膜的光学参数,探讨了氩等离子体辐照提高TiO_2/Ag/TiO_2多层膜透过率的机制。首先,为了准确计算薄膜的光学参数,本文在镀膜实验的基础上,借助MATLAB计算程序、采用最优化法,对TiO
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磁光氧化物材料如钇铁石榴石(Y3Fe5O12,YIG)由于其室温铁磁性和强磁光效应而广泛应用于非互易光学器件中,但主要应用在1μm以上的波长。大多数磁光氧化物的电偶极子跃迁能级位于紫外到可见光波段,这使得这类材料的磁光光谱难以调节,限制了这些材料应用的波长范围。另一方面,过渡金属离子掺杂稀磁绝缘体材料是一种重要的室温铁磁性和磁光材料,其磁光效应与材料能带特征的关系尚不清楚,系统的材料制备和表征工作
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