【摘 要】
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电力电子技术的发展带动了直流输电技术的发展，在大电网时代的来临，直流输电技术更是体现了它的优势。轻型直流输电技术是在全控型半导体材料发展的基础上发展起来的。相对于传统直流输电的半控型半导体材料晶闸管的电流源换流器，轻型直流输电以全控型半导体材料绝缘栅双极晶体管(Insulated-Gate Bipolar Transistor IGBT)的电压源换流器为主体。本文分析了空间电压矢量脉宽调制在整流和
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电力电子技术的发展带动了直流输电技术的发展，在大电网时代的来临，直流输电技术更是体现了它的优势。轻型直流输电技术是在全控型半导体材料发展的基础上发展起来的。相对于传统直流输电的半控型半导体材料晶闸管的电流源换流器，轻型直流输电以全控型半导体材料绝缘栅双极晶体管(Insulated-Gate Bipolar Transistor IGBT)的电压源换流器为主体。本文分析了空间电压矢量脉宽调制在整流和逆变中的优势(开关损耗小、谐波含量小、电压利用率高)，并对其合成实现进行了研究，
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现代电力工业成就的不断攀升使得电力设施的发展要求逐步偏向智能性。延伸到高压开关领域,则要求其可应用于更高电压等级、具备更高可靠性,并不断提升其自动化程度。目前,真空开关凭借熄弧能力强、环境污染小等优势,逐步取代SF6开关成为研究热点。然而,击穿电压随真空间隙的饱和性限制了其高压化发展,因此,由多个灭弧室串联而成的多断口真空开关得到更广泛的研究与应用。本文以126kV双断口真空开关为主要对象,进行了
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