目的：建立氡染毒致人支气管上皮细胞恶性转化模型，探讨线粒体损伤在氡致人支气管上皮细胞恶性转化过程中的机制。　　方法：（1）建立氡染毒致人支气管上皮细胞（BEAS-2B）恶性转化模型。细胞接种于Transwell培养皿，置于HD-3型多功能氡室，氡染毒浓度为20000 Bq/m3，染毒时间20 min/次，每次染氡后收集细胞进行常规培养，传代后进行下一轮氡染毒，重复染毒40次。（2）观察对照组以及氡暴露不同代数（Rn-0，Rn-5，Rn-10， Rn-20，Rn-30，Rn-40代）细胞形态，同时检测各组细胞的增殖活性、平板克隆形成集落数、划痕实验细胞迁移率。（3）在氡暴露的不同代数（Rn-0，Rn-5，Rn-10， Rn-20，Rn-30，Rn-40代），采用化学发光法检测ATP含量；DCFH-DA荧光探针测定细胞内活性氧水平；Annexin V法检测细胞凋亡情况；PI单染法检测细胞周期分布情况；real-time PCR检测细胞线粒体DNA拷贝数变化；JC-1荧光探针流式细胞仪检测细胞线粒体膜电位；Western blot检测细胞色素C的蛋白表达水平。　　结果：（1）显微镜下观察正常BEAS-2B细胞形态以长梭形为主，细胞大小均匀，细胞边缘光滑且清晰，胞质清晰透亮，而染氡后的细胞呈现不规则多边形或网状，表面粗糙、细胞边缘不清晰。（2）与对照组Rn-0细胞比较，氡染毒后BEAS-2B细胞的平板克隆集落数、细胞迁移率明显升高，细胞倍增时间不同程度减少。同时，BEAS-2B细胞经氡染毒后自第20代开始出现恶性转化的特征。（3）氡染毒致细胞恶性转化过程中，随着染氡代数增加ATP合成逐渐增加；线粒体膜电位水平也随染氡代数增加而增加；染氡细胞内活性氧水平随着染氡代数的增加而降低；（4）氡染毒BEAS细胞从第10代开始mtDNA拷贝数呈现显著增加趋势。在氡染毒细胞中，细胞色素C蛋白的表达量在第5代出现升高现象，但随着染氡剂量的增加细胞色素C蛋白的表达水平持续下降。　　结论：（1）成功建立了氡染毒致人支气管上皮细胞恶性转化模型；（2）线粒体损伤、能量代谢途径改变在氡照射所致细胞恶性转化过程中起关键作用。线粒体功能改变是氡致细胞恶性转化过程中的重要影响因素。