摘要：石墨烯薄膜是一种新型碳纳米材料薄膜,它的结构为正六角形的蜂巢状二维晶格结构,每个格点都是sp2杂化后的碳原子,石墨烯的厚度仅为一个碳原子,是第一种真正意义上的二维纳米碳材料。2004年,英国科学家Novoselov和Geim首次在实验室中从石墨中分离出石墨烯,并通过大量的后续研究解开了石墨烯特性,这一举动引发了纳米材料业内广泛观注和研究。电子的运输特性是石墨烯的最重要的一个性质,这种独特的电学性质表明石墨烯在各个方面具备广泛的潜在应用前景,比如高速晶体管,透明电极,光电压力传感器等。但是,由于现有的机械剥离石墨烯面积太小、制备工艺受到限制,无法进行产业化。所以制备大面积、高质量的石墨烯便成为目前学术界的研究热点,化学气相沉积法(CVD)是最有可能进行产业化的方法,它是用气态碳源在铜和镍衬底上生长石墨烯,而铜基CVD生长的石墨烯薄膜具有良好的单层性和连续性。本文主要讨论了实验室中铜基CVD方法制备大面积、高质量石墨烯透明导电薄膜的实验过程、物理表征、石墨烯薄膜的转移及修复过程。在实验中,我们研究了生长条件(生长温度,气体配比、生长时间、铜箔处理)对于铜基CVD石墨烯生长的影响,并通过光学显微镜、扫描电子显微镜表征了不同生长条件的石墨烯表面以及通过拉曼光谱的D峰、G峰、2D峰(以D峰判定石墨烯薄膜的缺陷,以I2D/IG。的比值来判定石墨烯的层数)表征了石墨烯质量和层数,并在数据分析中获得了与生长条件相应的结果。通过对表征规律的总结,获得了实验室中最佳的铜基CVD生长条件。在后续的转移工作中我们采用了PMMA作为转移介质的转移方法,在多次实验后在目标衬底上获得了较为完整的石墨烯薄膜,并在光学显微镜、扫描电子显微镜下观测了衬底上的成膜存在破损。针对破损问题,我们使用了二次转移法(在原有破损的石墨烯膜上再转移一层石墨烯)对破损的石墨烯薄膜进行修复,光学显微镜下实现了较为理想的修复效果,并通过拉曼光谱验证了二次转移方法对石墨烯D峰、G峰、2D峰造成的影响。可以说,不断提高制备工艺的铜基CVD石墨烯势必在不远的将来取代ITO,在光电显示、光电器件领域引发一场技术革新。