近年来,由于有机材料来源广,易于加工,低成本,可以大面积制备等优点,促进了有机电子学领域的快速发展。存储器作为电子设备的基本构成单元之一,已经引起了社会的广泛关注,在存储器件的研究中,有机场效应晶体管存储器因其具有非易失性读取,易于集成,可与各种衬底兼容等优点,受到研究者的重点关注,得到了迅速发展,但是对于器件的稳定性,存储容量等方面仍有待提高。本论文主要利用PVK作为研究对象,制备了高性能有机场效应晶体管存储器,主要研究内容及成果如下:首先,我们利用聚合物材料PVK和TMP的共混溶液旋涂,产生相分离而得到纳米阵列结构,将其应用在有机场效应晶体管存储器,作为电荷俘获层。与基于平滑的PVK薄膜的存储器件相比,纳米阵列结构的器件在存储性能方面有着极大的改进,包括更大的存储窗口(≈18 V),更好的稳定性(>10~4s)、耐受性(超过100次的读写擦循环)以及双极性存储。其次,我们制备了三种基于不同PVK纳米阵列形貌的晶体管存储器件,分别是在TMP和PVK的体积配比为1:1、5:1、10:1时制备而成,以研究两种材料在不同配比下所得到形貌差异以及其对于有机场效应晶体管存储器性能的影响。通过AFM测试发现,在配比为5:1时,所形成的纳米阵列最为规整、有序且独立,而在后来电学性能的研究中,其迁移率,阈值电压,写入速度等参数相较于另外两种器件都更好,其原因大概是在1:1时所形成的纳米阵列不明显,而成了不连续的岛状结构,载流子难以迁移。当TMP和PVK体积配比为10:1时,由于单独的TMP是不具备存储性能的,这对器件的性能产生了不利的影响。最后,本文研究了TMP和三种不同PVK衍生物(P1、P2、P3)进行掺杂作为电荷俘获层的器件性能,研究发现,本次实验旋涂后的三种薄膜都没有形成跟之前PVK类似的纳米阵列而是形成了联结的岛状结构,这样子是不利于电荷的迁移的。在后面电学性能的测试中,发现三种器件几乎也没有俘获空穴的能力,只能俘获较少的电子,总体而言,其性能不如PVK纳米阵列器件。