【摘 要】
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兼有SOI技术和应变硅技术优点的sSOI绝缘层上应变硅)技术是一种很具创新和竞争力的新技术,不仅显著提高了载流子迁移率,而且消除了深亚微米下的各种寄生效应。sSOI已成为制造
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兼有SOI技术和应变硅技术优点的sSOI绝缘层上应变硅)技术是一种很具创新和竞争力的新技术,不仅显著提高了载流子迁移率,而且消除了深亚微米下的各种寄生效应。sSOI已成为制造高速、低功耗集成电路的优选工艺。本论文基于弹塑性材料弯曲回弹理论,提出了一种通过外加机械力对硅片引入单轴应变制备sSOI的新方法,即采用一片成品SOI晶圆片,通过机械弯曲与退火两步工艺获得晶圆级单轴应变SOI。该方法具有设备与工艺简单、只需一片SOI、不易破碎、成本低、应变量大等特点。按此实验思想,本文利用自制的弧形弯曲试验台,成功制备了4英寸P型[110]晶向单轴压应变SOI实验样品。通过RAMAN、HRXRD、AFM等表征技术对sSOI样品进行表征,顶层硅的拉曼频移为520.3cm-1,相应变量计算为0.077%,晶格常数为c1=0.542314305nm,高于体硅的晶格常数,表面粗糙度为9nm。测试结果证明,通过这种机械外力在SOI层结构的顶部硅层引入应力的方法,具有可行性。
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