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离子印迹技术(Ion Imprinted Technique，IIT)是以特定离子为模板，制备出对目标离子具有专一识别性能的聚合物技术，在分离提纯、免疫检测、生物模拟和痕量分析领域展现出广阔的应用前景。在痕量和超痕量分析中采用离子印迹聚合物技术，使得化学分离和预富集技术获得重大突破。 本文依据在硅胶微球表面修饰的分子印迹技术的基本思路，提出了一种基于硅胶表面修饰的制备离子印迹聚合物的方法，采用接枝方法，先将3-（巯丙基）三甲氧基硅烷(MPS)大分子偶合接枝到硅胶微粒表面，然后以镉离子为模板离子，以环氧氯丙烷为交联剂，通过配位键作用，制备了复合型离子印迹材料IIP-MPS/SiO2。考察了反应温度、反应时间和交联剂的种类等因素对产物的影响，确定了优化的合成条件。 通过不同温度、时间和pH条件下，IIP-MPS/SiO2对Cd2+的吸附能力研究，表明在不同温度下(30～60℃)，IIP-MPS/SiO2都具有非常高的吸附效率。同时IIP-MPS/SiO2在pH为4～8的条件下，吸附效果较好。吸附速率也非常快，20min就基本可以达到吸附平衡。所以在不同水体条件下，IIP-MPS/SiO2都能较好的选择性去除其中的Cd2+。 采用静态法研究了IIP-MPS/SiO2对Cd2+的结合特性，结果表明，Cd2+印迹材料IIP-MPS/SiO2对Cd2+具有强的记忆识别能力，主要表现在两个方面(1)对Cd2+的结合量大，IIP-MPS/SiO2对Cd2+的吸附容量比印迹前复合材料IIP-MPS/SiO2提高了2倍多;(2)对Cd2+的选择性较好，相对于Ni2+、Zn2+、Cu2+和Co2+，IIP-MPS/SiO2对Cd2+的相对选择性系数分别为26.39、23.28、1.44和32.16。另外印迹材料IIP-MPS/SiO2具有优良的洗脱和再生性能。