【摘 要】
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BCD（BIPOLAR/CMOS/DMOS）工艺是一种结合了双极、CMOS和DMOS结构的单片IC制造工艺，其优势是设计者可以在高精度模拟的双极、高集成度的CMOS和作为功率级的DMOS之间自由选择。BCD
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BCD（BIPOLAR/CMOS/DMOS）工艺是一种结合了双极、CMOS和DMOS结构的单片IC制造工艺，其优势是设计者可以在高精度模拟的双极、高集成度的CMOS和作为功率级的DMOS之间自由选择。BCD工艺能很好应用于电源管理类芯片的研制。随着我国信息化水平和绿色节能建设水平的不断提高，以及智能电网、智能工业等新兴产业的迅速发展，国内电源管理芯片市场将稳步快速增长。在这一背景下，德州仪器成都公司投入开发应用电压范围40V-90V的0.35μm高功率BCD工艺以满足市场需求，增加竞争力。在0.35μm BCD工艺开发过程中遇到较多的问题，诸如：光刻、清洗、快速热退火、金属连线等。针对这些问题，以LDMOS、NPN等器件为主进行关键工艺的改善，从而对0.35μm BCD工艺进行优化。主要内容如下：1．针对LDMOS器件N+/P+SD工艺流程段的开发和改善。包括针对N+SD柱状光刻胶脱落问题的N+/P+SD光刻工艺、N+/P+SD离子注入工艺、N+/P+SD离子注入后清洗工艺、工艺缺陷的检测分析。2．针对NPN BJT器件的工艺流程段的开发及关键工艺的改善。包括NPN BJT相关工艺流程、相关工艺失效效应分析、CO金属硅化物相关实验和离子注入后RTA实验设计及验证。3．针对金属缺陷问题后段工艺的改善。包括：针对钨塞空洞问题接触孔工艺流程段的改善、针对铝坑问题通孔工艺流程段的改善。通过对上述以器件为基础的0.35μm BCD工艺中的关键工艺改善及优化，很好建立了本公司0.35μm BCD工艺基准。
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