随着电力电子技术在电力系统中的广泛应用,现代电力电子装置正朝着高电压、高功率、高频率和高电能质量的方向发展。然而,电力电子器件的耐压水平远远不能满足高压电力电子装置的要求。将IGBT器件直接串联组成高压IGBT串联组件是最直接、有效的提高器件耐压等级的方法,这样既能满足装置容量要求,又解决了单个器件容量不足的问题,还降低了装置成本,配合典型的两电平和三电平电路结构,是实现一切高压电力电子装置的简单而有效的途径。　　 本文从串联IGBT角度出发,分析、比较常用IGBT串联阀组的均压方法。针对IGBT串联应用,从器件特性参数和驱动条件两方面分析了串联分压不均衡因素,为分析讨论和研究均压方法提供理论依据。　　 研究分析了静态均压方法和无源RCD吸收均压方法。详细讨论了均压方案中参数计算方法,通过实验系统对动静态均压过程进行分析。实验表明,静态均压方法效果较好,无源RCD吸收电路在门极驱动信号基本同步情况下具有良好的均压效果,当门极驱动信号有较大延时时,将会导致IGBT串联阀内器件分压恶化。　　 研究分析了门极均衡核的均压原理,借助门极驱动等效电路模型,导出了门极均衡核的参数设计方法。讨论了过压保护电路,在实际实验中加入了稳压二极管箝位保护电路,进一步防止器件过压。在IGBT门极与发射极之间引入瞬态电压抑制器,有效防止了IGBT门极过电压。实验表明,该均压方法能较好的解决由门极驱动信号不同步引起的器件过压问题。　　 将无源RCD吸收电路和门极均衡核方案相结合,组成一种复合均压方案,并建立了仿真与实验系统。实验结果表明,复合均压方案对由IGBT特性参数差异和门极驱动信号不同步而引起的IGBT集射极电压不均问题具有显著的改善效果。