近年来,X射线脉冲星导航系统已成为全球各航天大国的研究热点。高速X射线探测器是脉冲星导航系统中的重要器件,高速X射线探测器的性能直接决定了脉冲星导航系统的精度。在各种X射线探测器中,硅漂移探测器因其具有良好的能量分辨率、时间分辨率和高信噪比等特点,在深空探测、脉冲星导航等领域起着重要作用。因此本文以硅漂移探测器为研究对象,对硅漂移探测器各项电学特性进行仿真,为项目研制高性能的硅漂移探测器提供理论支持。本文基于Sentaurus TCAD半导体器件仿真软件,建立硅漂移探测器的三维模型,对硅漂移探测器的电势、电场、电子浓度、分压器电流、漏电流、饱和电容和耗尽电压进行了仿真,并得到以下结论:(1)对圆环形、四边形结构的硅漂移探测器的电势进行仿真,通过对比得到圆环形硅漂移探测器内部电势分布具有更好的对称性,并通过其内部的电场、电子浓度分布图验证了圆环形结构良好的对称性,在探测器内部能够形成良好的漂移通道。(2)对圆环形硅漂移探测器分压器上的电流进行仿真,在最外漂移环逐渐加大反向偏压,得到不同分压器宽度上的电流与外加偏压的I-V特性曲线。通过对比得到分压器上的电流随着宽度的变大而增大,各漂移环之间的穿通电压随着分压器宽度的增大而减小。(3)对圆环形硅漂移探测器漏电流、饱和电容与耗尽电压进行仿真,在探测器最外漂移环逐渐加大反向电压得到探测器的I-V和C-V特性曲线,得到探测器的耗尽电压约为-140 V,通过I-V特性曲线得到探测器的漏电流为2.4×10-9 A,通过C-V特性曲线得到探测器的饱和电容约为80 fF。