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第三代半导体材料重要组成成员的GaN材料的应用范围非常广泛，可以用于制作微电子、光电子等多种器件。 本文对MOCVD生长GaN材料进行特性分析，具体内容如下: 1.采用改变生长条件的方法制备非掺杂GaN薄膜，在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品，并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(10-12)面测试均表明TMGa流量为70sccm时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明，提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后，利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。 2.对Delta掺杂技术在p-GaN材料中的应用作了系统研究，阐述了Delta掺杂的物理机理。研究发现多周期Delta掺杂可以抑制p-GaN样品中的位错的形成及传播，提高晶体质量和空穴浓度，使XRD测试(0002)面FWHM降低到263arcsec。升高CP2Mg流量对样品XRD(0002)面FWHM和(10-12)面FWHM的影响很小。最后对生长停顿做了研究，发现多周期Delta掺杂的样品中加入生长停顿使样品载流子浓度降低、光学性能下降。 3.对P型GaN中引入SixNy插入层的外延生长作了深入研究。SixNy层在p-GaN外延片中既起到横向外延作用同时还起到表面粗化的作用。通过增加SiH4的通入量，样品XRD(0002)面FWHM降低到246arcsec，(10-12)面FWHM降低到275arcsec。样品的表面形貌分析表明SixNy层在p-GaN中还起到了表面粗化的作用。