氮化镓（Gallium Nitride,GaN）高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor,HEMT）作为宽禁带半导体器件,在工作电压、开关频率、温度容限等电气参数上较硅（Silicon,Si）半导体器件相比具有巨大的优势和潜力。但在目前的研究和应用中却发现其在高压、高频等工况下存在一系列的可靠性问题,其中以电流崩塌（Current Collapse）效应或动态导通电阻（Dynamic On-resistance）现象影响最为显著,该现象会大幅增加器件的导通电阻,进而影响整个系统的效率和工作寿命。传统的器件动态参数测试采用的是双脉冲测试（Double Pulse Test,DPT）,该方法并不完全适用于深入分析影响GaN器件动态导通电阻的因素及变化规律。因此,本文将首先针对GaN器件动态导通电阻现象机理分析确定影响动态导通电阻的主要因素,然后根据影响因素设计多工况动态导通电阻测试电路并展开测试实验,分析实验数据再给出GaN器件动态导通电阻具体变化规律,最后提出考虑GaN器件动态导通电阻现象的应用优化方法。首先分析增强型GaN器件动态导通电阻现象机理,确定影响动态导通电阻的主要因素,并将这些因素作为实验测试自变量,以同一测试电路包括以上所有自变量为前提,提出基于四开关Buck＿Boost（Four Switches Buck＿Boost,FSBB）电路的多工况动态导通电阻测试电路,对该测试电路的原理和测试模式展开分析和介绍。其次根据器件类型与结构差异将增强型GaN器件分为Cascode型、普通单体增强型与改进单体增强型,分别选取相同电压电流等级的三款GaN器件展开实验测试,记录实验数据并进行数据计算和处理,再对得出的实验结果进行整合和分析,给出不同类型增强型GaN器件动态导通电阻随相同变量变化规律以及同一类型增强型GaN器件随不同变量变化规律。最后在已总结的不同类型增强型GaN器件动态导通电阻变化规律的基础上结合实际应用条件,提出动态导通电阻应用优化方法,主要包括GaN器件适配应用条件和精确量化GaN器件通态损耗计算方式,并针对通态损耗进行理论计算与实验验证,得出所提计算方式正确性和有效性的结论。