本论文的撰写是基于天津大学电信学院新型半导体器件与集成技术组和国防科技重点实验室的合作项目——“新一代化合物半导体器件与电路的研究”进行的。为了探究共振隧穿二极管(RTD)与共振隧穿三极管(RTT)器件的特性,分别在本校实验室和中国电子科技集团第13研究所进行了芯片制作,并对器件进行了测量,对于测试结果做了详细的对比与分析。截至目前为止,本课题组和重点实验室合作,成功研制出高品质的共振隧穿二极管和国内第一只共振隧穿三极管,其电流峰谷比PVCR最高达到47。论文完整的介绍了RTD与RTT的研制过程,从材料设计、版图设计、芯片制作、测试、结果分析等各个方面进行了详细的解释与论述。文章对芯片的测试结果进行了充分的分析与说明,对RTD正反接地造成的I-V特性曲线的差异性和负阻区出现正阻现象进行了探讨,针对RTT器件发射极-集电极正反接地造成的I-V特性曲线的差异性和开启电压VT随栅压漂移的情况进行了讨论。并对共振隧穿器件在电路中的应用理论做了深入的研究,并重点对RTD和MSM的光电集成电路进行了研制,取得了良好的效果。此外,本文还对半导体制作工艺做了比较详尽的介绍,包括MBE,光刻,腐蚀和薄膜生长等单项工艺。整篇论文对共振隧穿器件(RTD与RTT)从设计到测试结果分析、验证进行了论述,为今后隧穿器件的研究与应用奠定了基础。