随着人类向深空探测领域的迫切发展需要,近年来越来越多的宇航器件均处于极端的空间环境下。太空中存在着大量高能的宇宙射线,工作在太空中的电子器件会受到辐射的影响产生包括总剂量效应、位移损伤效应和单粒子效应等一系列的辐射效应。在空间实际应用中,高低温环境是与辐射环境伴随出现的重要空间环境,也是影响元器件在轨可靠性的重要因素,高低温环境会影响器件内部辐射缺陷的产生和复合,使得辐射损伤呈现出与常温环境不同的效应。因此,需要针对典型元器件在高低温环境下的辐射效应进行深入研究,从而保证元器件的在轨服役可靠性。本文主要针对MOSFET及反相器链在高低温辐照环境下的电学参数特性变化进行了仿真研究。所考虑的空间极端环境分别为高低温单因素环境、辐射单因素环境以及高低温与辐射共同作用下的综合环境。基于以上环境,构建了MOSFET及反相器链的3D模型并加以准确性验证,分别搭建了高低温仿真模型、辐射仿真模型以及高低温辐照综合作用仿真模型,进行电学参数的仿真研究。结果显示,MOSFET在低温条件下,转移特性曲线发生右移,阈值电压增大,载流子迁移率增大;在总剂量效应的影响下,阈值电压发生漂移,漏电流增大;而单粒子效应则会影响MOSFET中由漏极瞬态电流脉冲所带来的电荷收集量,随LET值的增大,漏极的电荷收集量均会成倍增加。在发生单粒子效应时,反相器链由于结构的原因,电荷收集量远大于MOSFET。当器件处于温度与辐射共同作用时,低温条件会对MOSFET的漏电特性起到一定的改善作用,并且在低温时产生的阈值电压漂移会在一定程度上抵消总剂量效应产生的阈值电压漂移。