层状钙钛矿型Bi<,4>Ti<,3>O<,12>铁电薄膜的择优取向生长与回线动力学标度

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层状钙钛矿型铁电体Bi4Ti3O12的居里温度高,自发极化大,Ps靠近α轴。稀土掺杂的Bi4Ti3Oi2薄膜在金属电极上耐疲劳,是实现铁电存储器应用的最佳材料之一。人们希望能制备沿α轴(或近α轴)均匀取向生长(取向度超过95%)的Bi4Ti3Oi2基铁电薄膜,以便获得大的剩余极化。同时,为满足铁电存储器实用要求,很有必要直接在金属电极上取向生长铁电薄膜。但是实验证明,要求钙钛矿型铁电薄膜在金属电极上均匀取向生长相当困难。本论文在Bi4Ti3O12薄膜快速升温晶化时,通过原位外加电场诱导薄
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