近些年，有关自旋轨道耦合(SOI)半导体电子体系的研究吸引了大量海内外理论与实验物理学家的涉足。其研究对象为电子的自旋内禀属性，目的是对电子自旋进行积极的操控。例如，自旋轨道耦合体系可以在不需要磁场的情况下，仅仅通过电场来调控电子自旋。特别是最近的一些理论和实验研究发现，在具有自旋轨道耦合的Ⅲ-Ⅴ族半导体二维电子气(2DEGs)中，在某些特定条件下存在一种叫做持续自旋螺旋态(Persistent Spin Helix)的长寿命的自旋密度波。这种长寿命的自旋密度波在自旋电子学中有重要的潜在应用价值。目前针对持续自旋螺旋态的理论研究主要基于Rashba自旋轨道耦合和k-线性项Dresselhaus自旋轨道耦合效应，而本论文在前人工作的基础之上则更进一步考虑了k-立方项Dresselhaus自旋轨道耦合和自旋电荷关联效应。研究表明，持续自旋螺旋态的弛豫时间会被k-立方项Dresselhaus自旋轨道耦合和自旋电荷关联效应等大幅度抑制。　　论文主要内容具体安排如下:　　第一章简要介绍本论文的研究科学背景、研究内容和自旋轨道耦合机制。　　第二章详细介绍自旋弛豫机制和自旋螺旋态的有关信息。　　第三章重点研究k-立方项Dresselhaus自旋轨道耦合作用对持续自旋螺旋态的弛豫时间的影响，并把研究结果与相关试验结论做系统对比。　　第四章利用耦合自旋-电荷漂移—扩散方程研究了自旋电荷关联效应对持续自旋螺旋态的弛豫时间的影响，并与第三章的结论做分析对比。