具有高浓度氧缺陷的中空立方ZnSnO3在气体敏感传感器上的表现是优异的。氧缺陷可以缩小半导体的带隙,使材料表面吸附更多的氧,使电子转移效率更高,提高传感器响应;而比表面积增大,增多了反应的活性位点,提升材料利用率,这也会为气敏传感器灵敏度的提升做出贡献。本文主要内容如下:1.通过不同方法制备了纳米立方ZnSnO3、纳米花ZnSnO3、纳米片ZnSnO3。并进行X射线电子衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)表征。气敏性能测试结果表明立方ZnSnO3传感器对H2S较为敏感,并给出可能的气敏原理。2.在酸性环境下对立方ZnSnO3传感器进行性能提高,进行了XRD、SEM、透射电子显微镜(TEM)、PL表征以及气敏性能测试。结果表明:立方ZnSnO3在酸性环境下形貌发生了改变,氧缺陷浓度提高;传感器性能也有所提升,提出了一种对ZnSnO3传感器性能提高的方法。3.在碱性环境下对立方ZnSnO3传感器的性能进行提高,进行了XRD、SEM、TEM以及元素分布(mapping)表征:在碱性环境下处理的ZnSnO3材料结晶性变差、形貌变化为中空立方,材料利用率升高;并且通过X射线光电子能谱(XPS)和PL表征发现,处理后的材料氧缺陷浓度大幅升高。气敏性能测试结果表明:碱性环境对ZnSnO3传感器性能提高有着显著效果。这项工作提出了一种对ZnSnO3传感器性能提高的方法,证实了具有高浓度氧缺陷以及高的材料利用率的材料在气体传感器领域应用的潜力。