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六方氮化硼因其独特的光、电和磁特性以及在微电子领域潜在的应用前景,已经成为了相关领域的研究热点材料之一。本文借助Materials Studio软件,运用基于密度泛函理论的第一性原理,计算了含有空位缺陷和替位式掺杂缺陷的h-BN单层以及不同边界条件氮化硼纳米带的光、电、磁性质。具体分析能带结构、态密度、电子轨道以及光学性质,得出了以下结论:1.当h-BN单层中存在空位缺陷时,B原子空位(VB)相比N原子空位(VN)更容易形成。VB和VN的总磁矩分别为2.56μB和1.18μB,空位处原子的不同性质导