本论文首先从理论上分析了直流电场对硅材料的反演对称性的破坏作用,根据推导出的等效二阶非线性光学极化率的形式,证明直流电场沿[100],[ 011]和[111]晶向时,硅材料的对称性将由O h点群分别降低为C4 v, C2 v和C3 v点群。从而,我们推断硅材料中将具有直流电场诱导的场致普克尔斯效应和场致光整流效应。在此基础上,我们以沿(111)面切割的近本证硅材料为样品,设计了金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属(MISIM)型样品结构,采用Bias Tee电路在硅样品上同时沿[111]晶向施加直流电场和交流电信号,从实验上证明了硅样品中存在场致普克尔斯,并观测到在相同的交流调制电场作用下,电光信号的大小随直流偏压的增加而线性增大。此外,在同样的硅样品中,还观测到了场致光整流效应。通过测量光整流信号随入射线偏振光方位角的变化关系,证明在[111]晶向直流电场作用下,硅材料的确具有C3 v点群对称特征。进一步实验证实,场致光整流信号也随外加直流偏压的增加而线性增大。所得到的这些研究结果将为设计和研制新型硅基光电器件提供理论和实验依据,将有力推动硅基光电子学的发展。论文中所采用的研究方法对研究其它具有反演对称性的材料的非线性光学性质也具有重要参考价值。