刚性SiO2分子印迹膜电化学传感器的研究

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一、利用分子印迹膜的特异性识别能力,采用水相表面沉积法制备了土霉素的刚性SiO2分子印迹膜,采用电化学溶胶凝胶沉积法制备了赤霉素的刚性SiO2分子印迹膜。   (1)用巯基乙酸处理金电极表面进行羧基化。用APTES(3-氨丙基三乙氧基硅氧烷)做功能单体,TEOS(正硅酸乙酯)做交联剂,氨水做引发剂,在金电极表面合成了土霉素的纳米级SiO2分子印迹膜,制备了土霉素电化学传感器。利用铁氰化钾作为离子探针建立了一种检测土霉素的方法。研究表明土霉素浓度在3.0×10-7 mol/L~4.5×10-6 mol/L范围内电流线性降低,检出限为3.2×10-8mol/L。该分子印迹膜克服了高分子膜模板分子不易洗脱且反复洗脱几次后印记空穴变形坍塌的缺点,因而可以作为目标分子土霉素理想的分子印迹材料。   (2)采用电化学沉积法,用APTES(3-氨丙基三乙氧基硅氧烷)做功能单体,TEOS(正硅酸乙酯)做交联剂,通过向电极表面施加大的负电位,在玻碳电极表面合成了土霉素的纳米级SiO2分子印迹膜,制备了赤霉素电化学传感器。利用铁氰化钾作为离子探针建立了一种检测赤霉素的方法。研究表明赤霉素浓度在2.0×10-7~1.0×10-5mol/L范围内电流线性降低,检出限为2.8×10-8mol/L。实验表明电化学溶胶-凝胶沉积形成的SiO2分子印迹膜多孔,膜内分子扩散速率较强,且制备过程简单,形成的膜具有物理刚性、化学以及热的稳定性等优点。   二、根据分子印迹膜的特异性识别能力,把表面覆盖有土霉素分子印迹膜的磁性复合粒子悬浮液滴于磁性电极表面制备了磁性土霉素分子印迹膜电化学传感器。利用酶放大效应,建立了两种新的检测痕量土霉素的方法。   (1)采用溶胶凝胶法合成了核壳型Fe3O4/SiO2土霉素分子印迹膜,依靠磁性将粒子吸附于玻碳电极表面。以对苯二酚为电子媒介体,以PH=7.4的磷酸盐缓冲溶液和双氧水为底液,利用辣根过氧化物酶的酶催化放大效应建立了一种用于快速检测士霉素的方法,当土霉素在0~1.6×10-7 mol/L浓度范围内,对苯二酚的峰电流值随土霉素的浓度增加而线性降低,检测限为4.5×10-10 mol/L。传感器显示出了较高的灵敏度与重现性且易于更新。在豆奶样品土霉素含量的测试中,回收率在99.2%~102.7%之间。   (2)用溶胶凝胶法在核壳型Fe3O4/SiO2表面建立了土霉素的刚性分子印迹敏感膜,内核为Fe3O4有利于传感器更新,外核为SiO2,既作为传感器的刚性敏感膜,又对内核磁性粒子进行了保护并且提高了磁性粒子分散度。将目标分子土霉素用葡萄糖氧化酶标记,研究发现传感器对检测信号有较强的放大作用,可用于检测痕量土霉素。当土霉素浓度在0~1.0×10-6mol/L浓度范围内,对苯二酚的峰电流值随土霉素的浓度增加而线性降低,检测限为8.1×10-9mol/L。传感器显示出了较高的灵敏度与重现性且易于更新。在豆奶样品土霉素含量的测试中结果令人满意,回收率在98.5%~103.8%之间。
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