石墨烯的发现,使得二维材料引起学术界和工业界广泛的关注,基于传统半导体材料的光电探测器已经无法满足当今科技快速发展的需要,由于二维材料优异的电学和光学性能,使得其在光电探测领域具有巨大的发展潜力。基于二维材料异质结结构的光电探测器由于内部电场的存在,在不加偏压的情况下也能工作,这种特性称为自驱动。自驱动型光电探测器在物联网、可穿戴电子设备、远程遥感以及户外环境监测等领域都具有重要的应用。本文设计了一种基于WSe₂材料的金属-半导体-金属型（Metal-Semiconductor-Metal,MSM）具有自驱动性能的光电探测器,以石墨烯（Graphene）和金（Au）作为电极材料。其中,WSe₂和石墨烯薄片材料都是通过微机械剥离的方法获得,WSe₂-Au和WSe₂-Graphene结通过预制金属两步干法转移法构成,避免了传统异质器件制作过程中由于光刻、显影、电子束蒸发等步骤引起的金属半导体接触表面无序和杂质。通过预制金属两步转移法,我们制作出的金属-半导体（M-S）结相当于范德华异质结,很好的避免了费米能级钉扎效应,器件表现出良好的光生伏特效应。不加任何外部偏压时,在650nm红光下,光电探测器的响应度高达7.55A/W,探测度高达3.0×10¹²Jones,标志着器件具有优异的光响应能力和弱光探测能力,并且具有高达10⁸的开关电流比。此外,器件在405nm、532nm、780nm波段都具有良好的光响应。由于栅极电压对层状石墨烯和WSe₂的费米能级具有调控作用,所以器件表现出良好的栅控效应。此外,我们通过基于COMSOL的有限元仿真验证了光电探测器具有自驱动特性的原因,并且具有宽波段的光响应,和实物器件测试结果具有一致性。值得注意的是,我们的光电探测器的光响应度表现出与光功率密度高达60d B的线性度,这在实际的电子设备中具有巨大的应用前景。