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在许多新的SiC合成方法中,微波加热合成方法由于其独特的优点而最有可能实现稳定的加热和大规模生产,然而,有关理论系统性还不够,技术稳定性不强,急需深入的系统研究。发现在传统的合成方法中利用晶种诱导可合成SiC晶体,可使冶炼温度下降,纯度有所提高,总合成时间减短,国际上还没有见到微波加晶种诱导合成SiC的方法,在这样的背景下,本课题选择0.6μ@的α-SiC作晶种,0.15mm煤炭和正硅酸乙酯分别作为碳源和硅源,先探究了无晶种的微波加热过程中的一系列效应机理和适宜的微波加热工艺,然后探究了晶种诱导SiC的合成工艺、晶种诱导效应及SiC晶体生长模式。晶种诱导微波合成SiC有望成为新方法,进一步完善微波加热过程中的理论体系研究。首先,研究无晶种合成SiC的过程中,在～600℃、～900℃、～1100℃～～1100℃保温10min下均合成SiC,而加热至1100℃保温1Omin保证了 SiC形核和长大具有充分的温度和反应时间,可合成完美SiC晶体。根据不同物理和化学变化,分为四个连续的加热阶段即热积累阶段,热失控,复杂反应和晶粒生长。其次,加入～0.6μm的α-SiC晶种,在不同混料方式下通过微波加热至1100℃保温1Omin,可合成SiC晶体。复合粉体采用三种不同的包覆技术。分析C和α-SiC不同的接触状态导致微波热效应和晶体生长机制不同:气-气反应导致在α-SiC和与之接触的C颗粒表面原位形核和晶粒长大,有良好生长的β-SiC颗粒;当α-SiC和C颗粒之间有薄Si02绝缘层时,混合气-气和气-液反应导致微波等离子体和扩散共沉淀,且在α-SiC晶种表面共存β-SiC晶须和颗粒;当α-SiC和C颗粒之间有厚SiO2绝缘层时,沿C和SiO2反应界面主要发生气-气反应,并引起形核和晶粒长大,产生大量的β-SiC晶须。所以在混料方式Ⅰ条件下,晶种诱导作用较明显,可合成良好的SiC晶体。第三,不同温度和保温时间也会影响SiC晶体的长大过程,方法Ⅰ条件下,在1100℃时保温1Omin,主要形成β-SiC和α-SiC颗粒,且随着保温时间的延长,晶须含量增加,晶体生长模式主要是在原始α-SiC晶种的表面上发生气-气(V-V)反应形成SiC微晶,进行原位形核和长大。最后,晶种诱导合成SiC晶体过程中,不同晶种含量对于SiC的性能和热效应也会有影响。得出原料中各组分和微波的阻抗匹配不同,导致功率再分配不同,进而造成微波加热过程中加热速率的变化、物相和形貌的变化,其中,15(wt.%)晶种含量是阻抗匹配的临界值。