太赫兹辐射具有在科学研究和技术应用上的广阔前景,但辐射源的产生很困难。利用光在光子晶体中的差频效应,能够产生太赫兹辐射,但差频转换效率很低。本论文研究通过提高一维光子晶体的品质因子,提高光在光子晶体中光学差频过程的转换效率,从而提高太赫兹辐射产生的效率。本文推导给出了一维光子晶体中的准相位匹配条件和差频转换效率公式,分析指出只有提高光子晶体的品质因子才能提高其差频转换效率。计算分析了一维光子晶体带边谐振腔和F-P谐振腔结构参数与品质因子的关系,得到了提高品质因子的一些方法。首次使用态密度、群速度等物理量对高品质因子的产生机制做了初步解释。对多缺陷层Bragg光子晶体缺陷模进行了分析,得到了这种缺陷模关于缺陷层数的奇偶特性和类似于原子能级的简并与分裂特性。利用量子力学中的微扰法给出了缺陷分裂模式与简并模式间的频率关系,并首次使用一维方形双势阱模型给出了两者之间的相位关系,表明多缺陷层光子晶体缺陷模式分裂与简并的机制是相位的微扰。本文工作有助于深入理解一维光子晶体高品质因子的形成机制,并为设计具有高品质因子的光子晶体提供借鉴。