基于多层单元NAND闪存的嵌入式存储管理系统的实现

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NAND闪存(Flash)是一种非易失性存储器,作为嵌入式系统中的主要外部存储设备,NAND闪存有两种主要类型:单层单元(SLC)和多层单元(MLC),多层单元NAND闪存具有存储密度较高、成本较低的特点,被广泛应用于各种嵌入式消费类电子产品中。   论文以Windows CE6.0操作系统为软件平台,实现针对MLC NAND闪存的嵌入式存储管理系统。该系统由三部分组成:文件管理层、闪存管理层和块设备驱动层。在文件管理层分析了主要的文件操作处理过程。重点实现了闪存管理层,实现的功能包括:地址映射、坏块管理、垃圾回收、空闲页管理及磨损均衡等。地址映射采用了动态地址映射的方式;坏块管理避免对坏块的使用;垃圾回收中通过采用冷热数据交换的方法,实现磨损均衡控制;空闲页管理采用冷热数据分离存储的方法,减少垃圾回收的系统消耗。驱动初始化时通过对闪存管理信息的集中扫描,实现驱动加载时间的减少。在块设备驱动层实现了NAND闪存的读、写、擦除等操作,并在读操作和写操作过程中实现4位ECC校验,保证数据的可靠性。所实现的MLC NAND闪存存储管理系统在三星S3C6410处理器平台上,进行了可靠性、读写速度、磨损均衡程度及驱动加载时间四个方面的性能测试。   测试结果表明:本论文所实现的MLC NAND闪存存储系统性能稳定可靠;在NAND Flash控制器工作频率为333.5MHz的情况下,文件写速度为10.5Mb/s,文件读速度为41.3Mb/s,可以满足大多数格式的媒体播放的要求;在静态数据存在的情况下,各块的擦除次数朱出现极端情况,做到了较好的磨损均衡;NAND闪存中存储文件的总容量为960MB时,驱动加载的时间由优化前的52s减少到5s,减少了90.4%。
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