带隙电压基准相关论文
随着智能手机和平板电脑等便携式电子设备的迅猛发展,电源管理单元变得无处不在。稳压器是电源管理单元的核心模块,按照工作模式可......
文章设计了一种使用新颖的高阶温度补偿方法的1.2V带隙基准电路。使用0.35μm CMOS工艺的仿真结果表明,本文所设计的电压基准在-40......
介绍了一种标准CMOS工艺下的电流基准电路。电路利用带隙结构实现，使得输出电流具有良好的温度系数及电源抑制能力。在2．5V～5．5V电源电......
文章设计了一种用于单片集成DC-DC变换器的高性能带隙基准电压电路。当温度从-40℃。125℃变化时，温度系数为23ppm／k，其电源抑制比（PSR......
提出了两款基于指数型曲线补偿技术的、采用1.5 μm BiCMOS工艺制造的新型带隙电压基准(BGR).在-45～85℃它们的平均温度系数均约为8......
在DC-DC变换器芯片设计中，用于产生参考电压的带隙基准的精度直接影响到芯片的控制精度。文中设计了。一种高阶温度补偿的精确带隙......
设计了一种采用电流反馈及电阻分压技术，输出可调的，用于单片集成超低压差的CMOS线性稳压器的高性能带隙基准电压电路。它可产生1～1．22......
设计一种二阶曲率补偿的带隙电压基准。基于一阶曲率补偿的基准电路,利用二极管正向导通附近电流I与电压V的非线性关系,将补偿电流......
介绍一种采用二阶补偿技术的带隙电压基准电路。基于一阶曲率补偿的带隙电压基准，利用晶体管基极-发射极电压Vbe与温度T的非线性关......
传统的带隙基准电路能够产生约15 ppm/℃温度系数的基准电压.电路中正温度系数的大小与支路电流的大小密切相关,通过调节支路电流......
日前，全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商IntersiI公司（纳斯达克全球交易代码：JSlL）推出具有低噪声、低温度漂移而且低功......
提出一种采用双极工艺,适用于-55~125℃的带隙基准电压电源设计方案。在经典Brokaw带隙结构的基础上,核心电路部分采用共源共栅电......
介绍了一种低压电流模带隙电压基准电路，并提出了一种新颖的启动电路结构．电路采用预先设置电路工作点和反馈控制相结合的方法有效地......
在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度、高电源抑制带隙电压基准源。采用二阶曲率补偿技术，电路采用预电......
提出了一种高精度的电流源电路,通过V/I变换,将由带隙基准电压电路产生的与温度和电源电压无关的带隙基准电压转换成与温度和电压......
基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准。结果表明,......
