【摘 要】
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人们一直在关注短波长半导体发光和激光器件这个研究课题,因为它们在提高光通信的带宽、光信息的存储密度和提取速度方面有着重要的作用。是信息显示、绿色照明、短波辐射探
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人们一直在关注短波长半导体发光和激光器件这个研究课题,因为它们在提高光通信的带宽、光信息的存储密度和提取速度方面有着重要的作用。是信息显示、绿色照明、短波辐射探测等领域取得革命性发展的基础。因此宽禁带半导体材料的研究具有极其重要的意义。近年来,半导体ZnO材料受到人们的极大关注,成为半导体材料中研究的重点。本文采用了电沉积的实验方法,通过在生长室中构建准二维空间,分别用直流和交流电势制备Zn纳米薄膜,通过热处理制备ZnO薄膜,并对其形貌及结构进行分析表征。本文通过对ZnO纳米薄膜的形貌进行表征,进一步研究了薄膜的生长过程,并且对制备过程中出现的各种形貌的机理进行了讨论,同时,通过XRD对ZnO纳米薄膜进行了结构上的表征。
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