【摘 要】
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激光干涉纳米光刻是一种产生纳米级周期性图案的有效技术。焦深长,分辨率高,无掩膜,成本低是该技术的优点。由于在工业生产制造中,需要大面积的有相应结构的材料表面,利用激
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激光干涉纳米光刻是一种产生纳米级周期性图案的有效技术。焦深长,分辨率高,无掩膜,成本低是该技术的优点。由于在工业生产制造中,需要大面积的有相应结构的材料表面,利用激光干涉光刻技术制造大面积拼接微结构具有灵活性强,结构简单等优点。本文针对激光干涉光刻技术进行了理论分析的基础上,设计了基于扫描拼接的大面积光刻系统。采用双光束激光干涉曝光制造了单曝光点的微结构,并进行了有效面积的检测,提出了利用方形光阑进行光斑优化进而实现直角边扫描拼接的方法,通过控制二维微位移平台实现微表面结构的拼接,从而实现了大面积微结构制造,对拼接结构进行了接触角测量和分析。实验结果表明,当硅表面拼接间距为400微米时,双光束激光干涉系统拼接的微结构可使硅材料表面的接触角达到10°。
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